三星电子洽谈向英伟达供应下一代HBM4芯片

　　三星电子于周五表示，正与英伟达就供应下一代高带宽存储（HBM）芯片（即 HBM4）进行 “深入洽谈”。目前这家韩国芯片制造商正全力追赶竞争对手，以在人工智能（AI）芯片竞赛中占据有利地位。

　　三星计划于明年将这款新芯片推向市场，但尚未明确 HBM4 芯片的具体出货时间。HBM 芯片是人工智能芯片组的关键组成部分。

　　三星的本土竞争对手、英伟达目前最大的 HBM 芯片供应商 SK 海力士，已于周三宣布计划在今年第四季度开始出货其最新 HBM4 芯片，并在明年扩大销量。

　　英伟达在一份宣布与三星合作的声明中表示，双方正就 “HBM3E 与 HBM4 展开关键供应合作”，但未进一步详细说明。

　　此外，三星还透露了另一项合作：公司将采购 5 万块英伟达高端芯片，用于建设一座 AI 增强型半导体工厂，旨在提升芯片制造速度与良率。

　　上述消息公布后，三星股价涨幅一度达 4.32%。

　　本周四，英伟达首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）赴韩国出席亚太经合组织（APEC）工商领导人峰会期间，与三星集团会长李在镕（Jay Y． Lee）会面，两人共同享用了炸鸡与啤酒。

　　李在镕表示，英伟达是三星的关键客户与战略合作伙伴，并强调双方已拥有超过 20 年的合作历史。

　　KB 证券（KB Securities）研究主管杰夫・金（Jeff Kim）指出，HBM4 芯片可能仍需进一步测试，但鉴于三星的产能规模，市场普遍认为其处于有利地位。

　　“若三星能成功向英伟达供应 HBM4 芯片，有望抢占此前在历代 HBM 产品中未能获得的可观市场份额，” 杰夫・金称。

　　在 AI 驱动的存储芯片热潮中，三星的反应速度相对迟缓，这导致其盈利表现疲软，并在去年对芯片部门进行了人事调整。不过，受益于传统存储芯片需求回升，三星最新一季度的盈利已有所复苏。

　　本周，三星还表示，其当前一代 HBM3E 芯片已面向 “所有相关客户” 销售，这一表述暗示该公司已与其他竞争对手一道，向英伟达供应最新的 12 层 HBM3E 芯片。

　　分析师认为，HBM4 芯片的推出将是对三星能否重获市场优势的重大考验。

　　HBM（高带宽存储）是 2013 年首次量产的动态随机存取存储器（DRAM）标准，其通过芯片垂直堆叠的方式节省空间、降低功耗，能够助力处理复杂 AI 应用产生的海量数据。

　　投资者正密切关注三星 HBM4 芯片能否削弱 SK 海力士在先进存储芯片领域的领先地位。同时身为全球顶级智能手机制造商的三星，已于今年 7 月表示已向客户提供 HBM4 芯片样品，并计划在明年正式开始供应。

　　自今年 7 月以来，三星股价已上涨近 60%—— 投资者预期，三星将受益于当前存储芯片价格的上涨趋势，并在 AI 竞赛中取得进展。